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据TheElec,三星电子最早将在今年3月停止在华城园区12号生产线制造2D NAND闪存,该企业的2D NAND闪存时代也将随之正式结束。三星电子早在2013年就实现了3D NAND (V-NAND) 的量产,不过三星还是保留了小规模的2D NAND产能以应对特殊利基市场的需求。华城12号生产线未来将服务于1c nm DRAM内存制造,负责后端的金属布线和表面处理工艺。(财联社)

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全要素生产率提升,既是技术创新的表现,更是制度红利的释放。深化改革开放,从内部体制优化和外部资源引入双向赋能全要素生产率提升,畅通国民经济循环。

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