在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
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“魔法のつえ”が奪われた 最高裁Noで新たなトランプ関税は？
2月28日，美国和以色列对伊朗发动军事打击，伊朗伊斯兰革命卫队当晚宣布，禁止任何船只通过霍尔木兹海峡。据伊朗迈赫尔通讯社3月1日报道，一艘未经授权的油轮试图通过霍尔木兹海峡时被击中。霍尔木兹海峡连接波斯湾和阿曼湾，是沙特阿拉伯、伊拉克、卡塔尔、阿联酋等中东产油国的原油出口必经之路，通过这一海峡运输的石油约占全球石油运输总量的五分之一。（新华社）
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